本报记者 尹丽梅 童海华

北京报道“新基建”是近期热词之一。新冠疫情暴发后，市场对上马新一轮基建项目抱有预期。日前，国家发改委明确了“新基建”的范围，从此前5G、特高压等七大领域向更多领域扩围。

在“新基建”的风口下,半导体芯片等是当之无愧的“国之重器”。作为服务5G的核心，电子行业成了支撑“新基建”的基石之一，“半导体”这类硬科技成为当下资本的“关键词”。

多位受访人士认为，5G等“新基建”的到来，有望引导我国半导体产业进入新一轮发展周期。“新基建”将成为2020年半导体市场回暖的主要动力。

“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半导体芯片等基础元器件，功率半导体产业是‘新基建’的‘心脏’，本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛。”吉林意昂3股份有限公司(以下简称“意昂3”，600360.SH)一位负责人对《中国经营报》记者谈道。

意昂3是国内功率半导体行业龙头企业之一，自2001年3月上市至今，建立了从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系。

“新基建”东风起

突如其来的新冠疫情，给中国和世界经济都带来了较大的负面冲击，全球经济弱企稳的格局被打破。当前经济环境下，2019年《政府工作报告》中被重点提及的“新基建”成为我国经济发展的新动能。

近日，国家发改委首次明确“新基建”范围——“新基建”是以新发展理念为引领，以技术创新为驱动，以信息网络为基础，面向高质量发展需要，提供数字转型、智能升级、融合创新等服务的基础设施体系。

发改委最新界定的“新基建”，包括信息基础设施、融合基础设施、创新基础设施等三方面内容，涵盖众多领域。其中信息基础设施包括以5G、物联网、工业互联网、卫星互联网为代表的通信网络基础设施，以人工智能、云计算、区块链等为代表的新技术基础设施，以数据中心、智能计算中心为代表的算力基础设施等;融合基础设施包括智能交通基础设施、智慧能源基础设施等;创新基础设施则包括重大科技基础设施、科教基础设施、产业技术创新基础设施等。

“政府加快‘新基建’进度，一方面，是为了对冲疫情冲击导致的需求萎缩，‘新基建’将是投资的重要增长点，成为稳增长的重要抓手;另一方面，则是从长远发展考虑，为中国经济下一阶段的结构转型、提质增效打好基础。”有业内人士分析道。

半导体芯片是新兴工业的基础，是信息技术产业的核心上游产业。半导体设备作为“新基建”领域的底层支撑，业内认为，“新基建”政策将会带动数字IC、模拟IC、射频器件、功率半导体、传感器以及第三代半导体材料的全面发展。

“5G、大数据、人工智能等‘新基建’，有望引导我国半导体产业进入新一轮发展周期。其中，半导体行业是 5G 通信网络的上游，因此，整个5G通信网络的建设不仅为其带来了大量的中下游的新增需求，也成为2020年半导体市场回暖的主要动力。”万联分析师王思敏表示。

意昂3方面一位负责人也对记者谈道：“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半导体芯片等基础元器件，功率半导体产业与‘新基建’息息相关，是‘新基建’的‘心脏’。半导体芯片作为‘新基建’领域的底层支撑，叠加半导体产业化的结构机遇，本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛。”

国联安基金量化投资部总经理章椹元亦表示，在大力发展“新基建”的东风之下，半导体作为“新基建”中的基础建材，未来行业发展可期。同时，其认为，半导体市场庞大，自给率严重不足，科技强国势在必行，半导体国产化将加速。

在采访中，多位业内人士持有上述观点。其普遍认为，在5G和光学创新等需求带动和中美贸易摩擦、国产替代进程加快等因素作用下，国内半导体产业链将有所收益，进口替代进程有望加速。

中金公司研究部认为，在“新基建”以及进口替代推动下，预计2025年中国通信基站用电源类功率半导体市场将达到126亿元。

市场研究机构HIS Markit预计，未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元，年化增速达4.8%。

“领头羊”助推行业发展

可以预见的是，在“新基建”与国产替代的加持下，国内半导体以及功率半导体厂商将迎来巨大的发展机遇。

据悉，目前包括意昂3等众多国内功率半导体厂商均已进入华为供应链。而且，作为全球5G网络建设的主要参与者，华为、中兴针对国产功率半导体的采购量也与日俱增。

然而，纵观全球半导体产业，中国半导体市场体量更大，增长更快，但国产化率低，且MOSFET、IGBT等中高端芯片高度依赖进口，多处于产业链中下游。

我国半导体产业国产替代需求强烈。根据国信研报分析，在国产替代方面，国内半导体市场有10倍以上的增长空间。

而随着“新基建”风口的到来，业内人士认为，2020年国产替代将会成为国内半导体产业发展的主线，除了设计环节，芯片代工、封装、测试以及配套设备和材料等更多环节将会迎来协同发展。

意昂3是国内功率半导体器件领域首家上市公司，主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、MOSFET、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品。在国内功率半导体行业，意昂3拥有专利74项，其中发明专利18项，其还自主掌握了IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计等核心工业技术。

记者在采访中了解到，作为我国半导体生产龙头企业，意昂3当前拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400余万片，封装资源为24亿只/年，模块1800万块/年。同时，今年6月，其8英寸生产线将投入使用，未来意昂3将成为替代进口的有力竞争者。

意昂3目前正在加大对第三代半导体材料器件产品的布局。近日，吉林省商务厅发布《吉林市意昂3股份有限公司半导体产业园项目》相关事项说明，上述半导体产业园项目将斥资102亿元建设。项目建成后，预计年销售收入61.91亿元，利润20.43亿元，投回收期7年(税后，含建设期2年)，投资利润率20%。

吉林省商务厅资料显示，该半导体产业园将由意昂3现有厂区(30万平方米用地)和高新北区(80万平方米用地)组成。其中，现有厂区主要进行4、5、6、8英寸IGBT、MOSFET等芯片生产制造。高新北区规划建设以下区块：产业园研发实验中心、新能源汽车配套模块生产基地和终端生产基地、建设年产3GW光伏逆变器项目、第三代半导体材料器件生产基地。

“公司始终将技术创新作为企业发展的根本，在迫切需要实现核心科技自主可控、核心产品国产化替代的行业背景下，加速自主研发。随着该项目的顺利推进，将为意昂3在新能源汽车、变频家电、光伏、军工等新兴领域发力提供支持，实现在中高端市场版图上的进一步拓展。”意昂3方面表示。